창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ6.8D2E, 3EZ6.8D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 564RC0GBA302EJ470K | 47pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 | 564RC0GBA302EJ470K.pdf | |
![]() | SAYHS836MAD0T00 | SAYHS836MAD0T00 MURATA SMD or Through Hole | SAYHS836MAD0T00.pdf | |
![]() | 216XDDAGA23FH X600 | 216XDDAGA23FH X600 ATI BGA | 216XDDAGA23FH X600.pdf | |
![]() | MN15828W10 | MN15828W10 ORIGINAL DIP-28 | MN15828W10.pdf | |
![]() | PS048402-125 | PS048402-125 BT PLCC | PS048402-125.pdf | |
![]() | 74HCT74DB | 74HCT74DB PHI TSSOP-14 | 74HCT74DB.pdf | |
![]() | MC33116SI | MC33116SI MOT SMD | MC33116SI.pdf | |
![]() | SBRB108T4G | SBRB108T4G ON SMD or Through Hole | SBRB108T4G.pdf | |
![]() | KW1-48D15S | KW1-48D15S SANGMEI SIP | KW1-48D15S.pdf | |
![]() | XC4085PG559C | XC4085PG559C XILINX PLCC | XC4085PG559C.pdf | |
![]() | ULB2B241 | ULB2B241 ORIGINAL SMD or Through Hole | ULB2B241.pdf | |
![]() | MMZ10+05Y400CT000 | MMZ10+05Y400CT000 TDK SMD or Through Hole | MMZ10+05Y400CT000.pdf |