창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ6.8D2E, 3EZ6.8D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B57237S220M51 | ICL 22 OHM 20% 2.8A 15MM | B57237S220M51.pdf | |
![]() | 3CG210E | 3CG210E CHINA B-4 | 3CG210E.pdf | |
![]() | RK1A475M04007BB180 | RK1A475M04007BB180 ORIGINAL SMD or Through Hole | RK1A475M04007BB180.pdf | |
![]() | CHAV0016J3922012 | CHAV0016J3922012 NISSEI 0805-392J | CHAV0016J3922012.pdf | |
![]() | 34.56MHZ/3.3V/25PPM | 34.56MHZ/3.3V/25PPM ECLPTIX 5 7mm | 34.56MHZ/3.3V/25PPM.pdf | |
![]() | SABC5042EM KROM | SABC5042EM KROM ORIGINAL SMD or Through Hole | SABC5042EM KROM.pdf | |
![]() | 93436PC | 93436PC FSC DIP16 | 93436PC.pdf | |
![]() | V48B28C250BN | V48B28C250BN VICOR SMD or Through Hole | V48B28C250BN.pdf | |
![]() | F35S3N | F35S3N ORIGINAL SMD or Through Hole | F35S3N.pdf | |
![]() | EP1K50FI484-2 | EP1K50FI484-2 ALTERA BGA | EP1K50FI484-2.pdf | |
![]() | AR40-HZL-TT | AR40-HZL-TT ASSMANN SMD or Through Hole | AR40-HZL-TT.pdf | |
![]() | TC1279-10ENB | TC1279-10ENB MICROCHIP SOT23 | TC1279-10ENB.pdf |