창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ6.8D, 3EZ6.8D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | IKW20N60H3FKSA1 | IGBT 600V 40A 170W TO247-3 | IKW20N60H3FKSA1.pdf | |
![]() | GX-F15B-R | Inductive Proximity Sensor 0.165" (4.2mm) IP68 Module | GX-F15B-R.pdf | |
![]() | DS2502AR1-5 | DS2502AR1-5 DALLAS SMD or Through Hole | DS2502AR1-5.pdf | |
![]() | TMC3K-B470-TR | TMC3K-B470-TR NOBLE 3 3 | TMC3K-B470-TR.pdf | |
![]() | 3-1415503-1 | 3-1415503-1 TYCO SMD or Through Hole | 3-1415503-1.pdf | |
![]() | S5C7333A01 | S5C7333A01 SAMSUNG QFP | S5C7333A01.pdf | |
![]() | 12092881 | 12092881 Delphi SMD or Through Hole | 12092881.pdf | |
![]() | AS25158CA | AS25158CA EPSON DIP | AS25158CA.pdf | |
![]() | MDP1601-473G | MDP1601-473G N/A DIP | MDP1601-473G.pdf | |
![]() | BB156(PF) | BB156(PF) NXP SOD323 | BB156(PF).pdf | |
![]() | BYX61-400R | BYX61-400R ST SMD or Through Hole | BYX61-400R.pdf | |
![]() | D43256AGU-15 | D43256AGU-15 NEC TSOP | D43256AGU-15.pdf |