창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.8D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.8D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ6.8D10, 3EZ6.8D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
BZT55B33-GS08 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD80 | BZT55B33-GS08.pdf | ||
04DA-8M | 04DA-8M M SMD or Through Hole | 04DA-8M.pdf | ||
5295-06. | 5295-06. MOLEX SMD or Through Hole | 5295-06..pdf | ||
M29W040B-90N1 | M29W040B-90N1 ST TSOP | M29W040B-90N1.pdf | ||
C3216Y5V1A476M | C3216Y5V1A476M TDK 1206 | C3216Y5V1A476M.pdf | ||
NJM2864F03/TE1 | NJM2864F03/TE1 JRC SOT23-5 | NJM2864F03/TE1.pdf | ||
BU2508AF/B (SOT-199/TO-247 | BU2508AF/B (SOT-199/TO-247 PHILIPS SMD or Through Hole | BU2508AF/B (SOT-199/TO-247.pdf | ||
HFBR-2402(RX) | HFBR-2402(RX) Agilent DIP | HFBR-2402(RX).pdf | ||
SSR33M050ST | SSR33M050ST CDE DIP | SSR33M050ST.pdf | ||
17-21SURC-S530-A2-TR8 | 17-21SURC-S530-A2-TR8 EVERLGHT LED-0805 | 17-21SURC-S530-A2-TR8.pdf | ||
NTL06G68NTRF | NTL06G68NTRF NICC SMT | NTL06G68NTRF.pdf | ||
UPD24C1000C-1 | UPD24C1000C-1 NEC DIP-28 | UPD24C1000C-1.pdf |