창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ6.2D5E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ6.2D5E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ6.2D5E, 3EZ6.2D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | S14K550 | VARISTOR 910V 4.5KA DISC 14MM | S14K550.pdf | |
B82464P4104M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 220 mOhm Max Nonstandard | B82464P4104M.pdf | ||
![]() | S0603-271NG3S | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-271NG3S.pdf | |
![]() | RG3216P-1151-B-T1 | RES SMD 1.15K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1151-B-T1.pdf | |
![]() | RCP1206W22R0GS3 | RES SMD 22 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W22R0GS3.pdf | |
![]() | MBA02040C1879FRP00 | RES 18.7 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1879FRP00.pdf | |
![]() | 1A1-1A2-1A3-1A4-1A5-1A6-1A7 | 1A1-1A2-1A3-1A4-1A5-1A6-1A7 HYG SMD or Through Hole | 1A1-1A2-1A3-1A4-1A5-1A6-1A7.pdf | |
![]() | MX7228 | MX7228 MAXIM NAVIS | MX7228.pdf | |
![]() | ADSP-2185LKST-115 | ADSP-2185LKST-115 ADI QFP | ADSP-2185LKST-115.pdf | |
![]() | M30875FHBGP#U3 | M30875FHBGP#U3 MIT QFP | M30875FHBGP#U3.pdf | |
![]() | 495641-005 | 495641-005 AMD PGA | 495641-005.pdf | |
![]() | GRM42-6R224K50 | GRM42-6R224K50 MURATA SMD or Through Hole | GRM42-6R224K50.pdf |