창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ56D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ56D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ56D1, 3EZ56D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J2X8R2A223M125AE | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.047" W(2.00mm x 1.20mm) | CGA4J2X8R2A223M125AE.pdf | |
![]() | P1168.452NLT | 4.5µH Shielded Wirewound Inductor 6A 13 mOhm Max Nonstandard | P1168.452NLT.pdf | |
![]() | LTL3H3TBD8P3 | LTL3H3TBD8P3 LITEON ROHS | LTL3H3TBD8P3.pdf | |
![]() | RLZ5230B TE11C | RLZ5230B TE11C ROHM SMD | RLZ5230B TE11C.pdf | |
![]() | BU52001GUL | BU52001GUL ROHM VCSP50L1 | BU52001GUL.pdf | |
![]() | DT72132 | DT72132 ORIGINAL DIP | DT72132.pdf | |
![]() | H11C5.300 | H11C5.300 FAIRCHILD DIP-6 | H11C5.300.pdf | |
![]() | DTZTTII 5.1B | DTZTTII 5.1B RHOM SMD0805 | DTZTTII 5.1B.pdf | |
![]() | XC6371A261PR | XC6371A261PR TOREX SOT89 | XC6371A261PR.pdf | |
![]() | XQ4VFX60-10FFG1152I | XQ4VFX60-10FFG1152I XILINX BGA | XQ4VFX60-10FFG1152I.pdf | |
![]() | FHW1008IF220KST | FHW1008IF220KST Fenghua SMD | FHW1008IF220KST.pdf | |
![]() | T493X475K050CH | T493X475K050CH KEMET SMD or Through Hole | T493X475K050CH.pdf |