창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ51DE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ51DE3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ51DE, 3EZ51DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ELJ-RF12NGFB | 12nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 450 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | ELJ-RF12NGFB.pdf | |
![]() | 103-103GS | 10µH Unshielded Inductor 165mA 3.45 Ohm Max 2-SMD | 103-103GS.pdf | |
![]() | RG2012N-243-B-T5 | RES SMD 24K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-243-B-T5.pdf | |
![]() | FDD6612A-NL | FDD6612A-NL FAIRCHILD TO-252 | FDD6612A-NL.pdf | |
![]() | F-51320GNB-LW-AB | F-51320GNB-LW-AB RFMD SMD or Through Hole | F-51320GNB-LW-AB.pdf | |
![]() | R1121N381B-TR | R1121N381B-TR RICOH SMD or Through Hole | R1121N381B-TR.pdf | |
![]() | PS58046-A | PS58046-A SAMPLE SMD or Through Hole | PS58046-A.pdf | |
![]() | PM-K53P | PM-K53P SUNX U | PM-K53P.pdf | |
![]() | MC33178DMR2G SMD | MC33178DMR2G SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | MC33178DMR2G SMD.pdf | |
![]() | TPS3040V | TPS3040V ORIGINAL SMD or Through Hole | TPS3040V.pdf | |
![]() | MBR860DCT/R | MBR860DCT/R PANJIT TO-263D2PAK | MBR860DCT/R.pdf |