창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ51D2E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 48옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 38.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ51D2E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ51D2, 3EZ51D2E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | T86E227M010EBAS | 220µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E227M010EBAS.pdf | |
![]() | MHQ0402P18NJT000 | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 140mA 2.5 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P18NJT000.pdf | |
![]() | 1210R-821G | 820nH Unshielded Inductor 556mA 670 mOhm Max 2-SMD | 1210R-821G.pdf | |
![]() | 35211K8FT | RES SMD 1.8K OHM 1% 2W 2512 | 35211K8FT.pdf | |
![]() | RC1210FR-07191RL | RES SMD 191 OHM 1% 1/2W 1210 | RC1210FR-07191RL.pdf | |
![]() | H8118RBDA | RES 118 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8118RBDA.pdf | |
![]() | TD82C288-16 | TD82C288-16 INTEL CDIP | TD82C288-16.pdf | |
![]() | Z86C0412PSCR51CC | Z86C0412PSCR51CC ZILOG DIP | Z86C0412PSCR51CC.pdf | |
![]() | ICS844256AK-24T | ICS844256AK-24T IDT SMD or Through Hole | ICS844256AK-24T.pdf | |
![]() | MB18F-MB110F | MB18F-MB110F MBF PFS | MB18F-MB110F.pdf | |
![]() | UAA3546HN/C4,118 | UAA3546HN/C4,118 DSPG SMD or Through Hole | UAA3546HN/C4,118.pdf |