창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.6D5/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 3EZ5.6D5 3EZ5.6D5-ND Q2107515 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ5.6D5/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ5.6D, 3EZ5.6D5/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CX3225GB13560D0HPQCC | 13.56MHz ±20ppm 수정 8pF 250옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB13560D0HPQCC.pdf | |
![]() | ACST410-8B | TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK | ACST410-8B.pdf | |
![]() | RC28F320J3A120 | RC28F320J3A120 INTEL BGA | RC28F320J3A120.pdf | |
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![]() | DS9503P+TR | DS9503P+TR Maxim SMD or Through Hole | DS9503P+TR.pdf | |
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![]() | XC2V500-4FGG256C | XC2V500-4FGG256C XILINX SMD or Through Hole | XC2V500-4FGG256C.pdf | |
![]() | SRBC-16F2BL | SRBC-16F2BL Bel SOPDIP | SRBC-16F2BL.pdf | |
![]() | MP774JN | MP774JN MP DIP | MP774JN.pdf | |
![]() | G2A347.1TA06 | G2A347.1TA06 ORIGINAL TQFP100 | G2A347.1TA06.pdf |