창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.1D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ5.1D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ5.1D, 3EZ5.1D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B82498F3821J | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.9 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | B82498F3821J.pdf | |
![]() | 45J1R0 | RES 1 OHM 5W 5% AXIAL | 45J1R0.pdf | |
![]() | SP2526A-1EN-L-TR | SP2526A-1EN-L-TR SIPEX SMD or Through Hole | SP2526A-1EN-L-TR.pdf | |
![]() | XC61CN2702MRN | XC61CN2702MRN TOREX SOT23 | XC61CN2702MRN.pdf | |
![]() | 218S2RBNA43 IXP200 | 218S2RBNA43 IXP200 ATI BGA | 218S2RBNA43 IXP200.pdf | |
![]() | NF7200-A-A2 | NF7200-A-A2 NVIDIA BGA | NF7200-A-A2.pdf | |
![]() | RJ3-400V100MI5-T4 | RJ3-400V100MI5-T4 ORIGINAL SMD or Through Hole | RJ3-400V100MI5-T4.pdf | |
![]() | MB675187B | MB675187B FUJITSU SOP24 | MB675187B.pdf | |
![]() | ECQP2104JU | ECQP2104JU PANASONIC DIP | ECQP2104JU.pdf | |
![]() | CDT3447 | CDT3447 ORIGINAL SMD | CDT3447.pdf | |
![]() | STP12P04D | STP12P04D ORIGINAL TO-252 | STP12P04D.pdf |