창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ5.1D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ5.1D/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ5.1D, 3EZ5.1D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 416F32025ITR | 32MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32025ITR.pdf | |
![]() | CJT12010RJJ | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 120W | CJT12010RJJ.pdf | |
![]() | RK73B1JXTD100J | RK73B1JXTD100J KOA SMD or Through Hole | RK73B1JXTD100J.pdf | |
![]() | HC5301-I/SN | HC5301-I/SN MICROCHIP SOP | HC5301-I/SN.pdf | |
![]() | 0408K | 0408K SBW SOT23 | 0408K.pdf | |
![]() | STD3NK80Z-T4 | STD3NK80Z-T4 ST SMD | STD3NK80Z-T4.pdf | |
![]() | PH3075L | PH3075L NXP SOT-669 | PH3075L.pdf | |
![]() | 885FS | 885FS N/A TSSOP | 885FS.pdf | |
![]() | 73K221AL-IH | 73K221AL-IH TDK PLCC | 73K221AL-IH.pdf | |
![]() | 1N2787 | 1N2787 ORIGINAL MODULE | 1N2787.pdf | |
![]() | AD5321BRTZ-REEL7 (LF) | AD5321BRTZ-REEL7 (LF) ANALOGDEVICESINC SMD or Through Hole | AD5321BRTZ-REEL7 (LF).pdf | |
![]() | RN55C2001FB14 | RN55C2001FB14 VISHAY CALL | RN55C2001FB14.pdf |