창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ43D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 33옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 32.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ43D/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ43D, 3EZ43D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | SIT3821AI-1C2-33EG15.360000Y | OSC XO 3.3V 15.36MHZ OE | SIT3821AI-1C2-33EG15.360000Y.pdf | |
![]() | ES2A-E3/5BT | DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA | ES2A-E3/5BT.pdf | |
![]() | HS50 3R9 J | RES CHAS MNT 3.9 OHM 5% 50W | HS50 3R9 J.pdf | |
![]() | CMF6011R800FKEB | RES 11.8 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6011R800FKEB.pdf | |
![]() | CMF01(TE12L.Q) | CMF01(TE12L.Q) TOSHIBA SMD or Through Hole | CMF01(TE12L.Q).pdf | |
![]() | FAR-F6KA-2G4418-D4CU | FAR-F6KA-2G4418-D4CU FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F6KA-2G4418-D4CU.pdf | |
![]() | MP1494DJ-LF-ZTR | MP1494DJ-LF-ZTR MPS SMD or Through Hole | MP1494DJ-LF-ZTR.pdf | |
![]() | WPD22032 | WPD22032 ORIGINAL QFP-160L | WPD22032.pdf | |
![]() | AND226R | AND226R AND 2010 | AND226R.pdf |