창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.7DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ4.7DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ4.7DE, 3EZ4.7DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B82422H1474J | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 76mA 20 Ohm Max 2-SMD | B82422H1474J.pdf | |
![]() | RT0603DRD0754R9L | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0754R9L.pdf | |
![]() | CRCW25121R13FNEG | RES SMD 1.13 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25121R13FNEG.pdf | |
![]() | AT0805CRD0728KL | RES SMD 28K OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD0728KL.pdf | |
![]() | Y00961K17450A9L | RES 1.1745K OHM 1/5W 0.05% AXIAL | Y00961K17450A9L.pdf | |
![]() | TEESVD1V106M12R | TEESVD1V106M12R NEC SMD or Through Hole | TEESVD1V106M12R.pdf | |
![]() | M210028BPC 810.000MHZ | M210028BPC 810.000MHZ ORIGINAL SMD | M210028BPC 810.000MHZ.pdf | |
![]() | M1563M-B0 | M1563M-B0 ALI BGA | M1563M-B0.pdf | |
![]() | CS5339-KP. | CS5339-KP. CRYSTAL DIP28 | CS5339-KP..pdf | |
![]() | TB5R1DW. | TB5R1DW. TI SMD-7.2mm | TB5R1DW..pdf | |
![]() | BAS521 T/R | BAS521 T/R NXP SMD or Through Hole | BAS521 T/R.pdf | |
![]() | NE5568 | NE5568 S DIP-8 | NE5568.pdf |