창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.7D/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ4.7D/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ4.7D, 3EZ4.7D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | MTE3047N2-UB | EMITTER VISIBLE | MTE3047N2-UB.pdf | |
| BDS4B1001R0K | RES CHAS MNT 1 OHM 10% 100W | BDS4B1001R0K.pdf | ||
![]() | Y16293K83000T0W | RES SMD 3.83K OHM 1/10W 0805 | Y16293K83000T0W.pdf | |
![]() | GX-H12B-P | Inductive Proximity Sensor 0.13" (3.3mm) IP68 Module | GX-H12B-P.pdf | |
![]() | TC9325F-007 | TC9325F-007 TOSHIBA SMD or Through Hole | TC9325F-007.pdf | |
![]() | S18324 | S18324 S/PHI CDIP16 | S18324.pdf | |
![]() | M5M51008DVP | M5M51008DVP ORIGINAL TSOP | M5M51008DVP.pdf | |
![]() | SCQ120P05121205R | SCQ120P05121205R TDK-LAMBDA SMD or Through Hole | SCQ120P05121205R.pdf | |
![]() | as1117-3,3 | as1117-3,3 ORIGINAL smd | as1117-3,3.pdf | |
![]() | HD64F7064F60 | HD64F7064F60 HITACHI SMD or Through Hole | HD64F7064F60.pdf | |
![]() | DTC123JUT106 | DTC123JUT106 ROHM SOT-323 | DTC123JUT106.pdf |