창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.3D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ4.3D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ4.3D10, 3EZ4.3D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | T494B685K016AT | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 1.2 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T494B685K016AT.pdf | |
![]() | 1472959-2 | RELAYS | 1472959-2.pdf | |
![]() | 10226-1210VE | 10226-1210VE AMP SMD or Through Hole | 10226-1210VE.pdf | |
![]() | M339741 | M339741 MOT SMD or Through Hole | M339741.pdf | |
![]() | GB25RF120K-VI | GB25RF120K-VI VISHAY SMD or Through Hole | GB25RF120K-VI.pdf | |
![]() | HI1608-1B82NJNT | HI1608-1B82NJNT ACX SMD or Through Hole | HI1608-1B82NJNT.pdf | |
![]() | SMLJ9.0A-TP | SMLJ9.0A-TP MCC SMC | SMLJ9.0A-TP.pdf | |
![]() | MI-I1005-12NSJT | MI-I1005-12NSJT CTC SMD | MI-I1005-12NSJT.pdf | |
![]() | MD80C31BH/BQA 5962-8506401MQA | MD80C31BH/BQA 5962-8506401MQA INTEL CDIP40 | MD80C31BH/BQA 5962-8506401MQA.pdf | |
![]() | NVS285NPB | NVS285NPB NVIDIA BGA | NVS285NPB.pdf |