창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.3D10/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ4.3D10/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ4.3D, 3EZ4.3D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| RE50E561MDN1 | 560µF 2.5V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 5 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RE50E561MDN1.pdf | ||
![]() | T3CS | T3CS ORIGINAL SOT-23-5 | T3CS.pdf | |
![]() | GDZJ 9.1A | GDZJ 9.1A PANJIT DO-34 | GDZJ 9.1A.pdf | |
![]() | GM82C765BS | GM82C765BS GOLDSTAR DIP | GM82C765BS.pdf | |
![]() | P28F020-150/200 | P28F020-150/200 INT DIP | P28F020-150/200.pdf | |
![]() | 1.2nH (HK1005 1n2H/LL1005-FH 1N2 S) PC | 1.2nH (HK1005 1n2H/LL1005-FH 1N2 S) PC INFNEON SMD or Through Hole | 1.2nH (HK1005 1n2H/LL1005-FH 1N2 S) PC.pdf | |
![]() | HT9046A | HT9046A PHI SMD or Through Hole | HT9046A.pdf | |
![]() | SMH-115-02-T-D | SMH-115-02-T-D SAM SMD or Through Hole | SMH-115-02-T-D.pdf | |
![]() | SDT9318-RC-QN | SDT9318-RC-QN SER SMD or Through Hole | SDT9318-RC-QN.pdf | |
![]() | IDT6116LA20PDGI | IDT6116LA20PDGI IDT SMD or Through Hole | IDT6116LA20PDGI.pdf | |
![]() | NJW1146M(TE2) | NJW1146M(TE2) JRC SMD | NJW1146M(TE2).pdf | |
![]() | M34510M2-201FP | M34510M2-201FP MIT SOP30 | M34510M2-201FP.pdf |