창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ4.3D/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ4.3D/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ4.3D, 3EZ4.3D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | RT1206BRE075K9L | RES SMD 5.9K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE075K9L.pdf | |
![]() | MMSZ5248B-7-01-F | MMSZ5248B-7-01-F DIODES SOD123 | MMSZ5248B-7-01-F.pdf | |
![]() | 211CC3S2160 | 211CC3S2160 FCIMVL SMD or Through Hole | 211CC3S2160.pdf | |
![]() | 1RFD120 | 1RFD120 IOR DIP-4P | 1RFD120.pdf | |
![]() | KB340 | KB340 KEXIN SMB | KB340.pdf | |
![]() | OR2C06A3T144I-DB | OR2C06A3T144I-DB LAT SMD or Through Hole | OR2C06A3T144I-DB.pdf | |
![]() | HU31K222MCZWPEC | HU31K222MCZWPEC HITACHI DIP | HU31K222MCZWPEC.pdf | |
![]() | RCFSP/R667416 | RCFSP/R667416 ROC PQFP | RCFSP/R667416.pdf | |
![]() | S3C2440A40-Y080 | S3C2440A40-Y080 SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C2440A40-Y080.pdf | |
![]() | 1206 91K F | 1206 91K F TASUND SMD or Through Hole | 1206 91K F.pdf | |
![]() | CL55B475KBJNNNE | CL55B475KBJNNNE SAMSUNG SMD | CL55B475KBJNNNE.pdf | |
![]() | R-U3442-02-9.5-0010 | R-U3442-02-9.5-0010 NEXTRON SMD or Through Hole | R-U3442-02-9.5-0010.pdf |