창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ30D2E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 16옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 22.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ30D2E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ30D2, 3EZ30D2E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| .jpg) | 600F201JT250XT | 200pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F201JT250XT.pdf | |
|  | 0326005.MXP | FUSE CERAMIC 5A 250VAC 3AB 3AG | 0326005.MXP.pdf | |
|  | 445C22J24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22J24M57600.pdf | |
|  | P1330R-393J | 39µH Unshielded Inductor 488mA 600 mOhm Max Nonstandard | P1330R-393J.pdf | |
|  | ERA-6AEB2153V | RES SMD 215K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB2153V.pdf | |
|  | 300100140436 | NON-HERMETIC THERMOSTAT | 300100140436.pdf | |
|  | G6B-2114P-FD-US 12VDC | G6B-2114P-FD-US 12VDC OMRON SMD or Through Hole | G6B-2114P-FD-US 12VDC.pdf | |
|  | MOC213-M | MOC213-M FAIRCHILD SMD or Through Hole | MOC213-M.pdf | |
|  | SF33-BP | SF33-BP GD SMD or Through Hole | SF33-BP.pdf | |
|  | TRJB335K025RRJ | TRJB335K025RRJ AVX SMD or Through Hole | TRJB335K025RRJ.pdf | |
|  | 82559ER(L4141C25) | 82559ER(L4141C25) INTEL BGA | 82559ER(L4141C25).pdf | |
|  | 5-104069-3 | 5-104069-3 TYC SMD or Through Hole | 5-104069-3.pdf |