창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ3.9D5E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 80µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ3.9D5E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ3.9D5E, 3EZ3.9D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 445W32J20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32J20M00000.pdf | |
![]() | MURHD560W1T4G | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | MURHD560W1T4G.pdf | |
![]() | RMCF1206JT47K0 | RES SMD 47K OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JT47K0.pdf | |
![]() | 35v0.68uf | 35v0.68uf ORIGINAL SMD or Through Hole | 35v0.68uf.pdf | |
![]() | TC7SAU04FU. | TC7SAU04FU. TOSHIBA SOT23-5 | TC7SAU04FU..pdf | |
![]() | SGM811-RXKA | SGM811-RXKA SGMICRO SMD or Through Hole | SGM811-RXKA.pdf | |
![]() | SB1650DC | SB1650DC PANJIT D2PAK | SB1650DC.pdf | |
![]() | MIC6A07 | MIC6A07 ORIGINAL R-6 | MIC6A07.pdf | |
![]() | OPA4131NA/2K5E4 | OPA4131NA/2K5E4 BB/TI SOP14 | OPA4131NA/2K5E4.pdf | |
![]() | PDTC114YU.115 | PDTC114YU.115 NXP SMD or Through Hole | PDTC114YU.115.pdf | |
![]() | 0603-576K | 0603-576K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-576K.pdf | |
![]() | DO5010P-223HC | DO5010P-223HC COILCRAFT SMD | DO5010P-223HC.pdf |