창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ3.9D2E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 80µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ3.9D2E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ3.9D2E, 3EZ3.9D2E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | P4SMA9.1CAHE3/5A | TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMA | P4SMA9.1CAHE3/5A.pdf | |
![]() | SMDJ11 | TVS DIODE 11VWM 19.11VC SMD | SMDJ11.pdf | |
![]() | CP00055K600KE66 | RES 5.6K OHM 5W 10% AXIAL | CP00055K600KE66.pdf | |
![]() | X1272-0232- | X1272-0232- N/A PGA | X1272-0232-.pdf | |
![]() | C1206JRNPO9BN222 | C1206JRNPO9BN222 ORIGINAL 50V | C1206JRNPO9BN222.pdf | |
![]() | K4T161640Q-HCE6 | K4T161640Q-HCE6 SAMSUNG BGA | K4T161640Q-HCE6.pdf | |
![]() | TNY176DG | TNY176DG POWER/ SOIC-7 | TNY176DG.pdf | |
![]() | SK22/SS22 | SK22/SS22 GOOD-ARK SMD or Through Hole | SK22/SS22.pdf | |
![]() | 89S54-1M | 89S54-1M ATMEL PLCC | 89S54-1M.pdf | |
![]() | UB11123-HFD1-4F | UB11123-HFD1-4F FOXCONN SMD or Through Hole | UB11123-HFD1-4F.pdf | |
![]() | PEEL22CV10AP-15L | PEEL22CV10AP-15L ICT SMD or Through Hole | PEEL22CV10AP-15L.pdf |