창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ3.6D10/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 4,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ3.6D10/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ3.6D1, 3EZ3.6D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ASTMHTE-12.000MHZ-ZC-E-T | 12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-12.000MHZ-ZC-E-T.pdf | |
![]() | 216TBAAGA13F Mobility9600 | 216TBAAGA13F Mobility9600 ATI BGA | 216TBAAGA13F Mobility9600.pdf | |
![]() | 85211AMI-03 | 85211AMI-03 IDT SMD or Through Hole | 85211AMI-03.pdf | |
![]() | TC140G68AF-0015 | TC140G68AF-0015 TOSHIBA QFP | TC140G68AF-0015.pdf | |
![]() | LAO-35V472MS3 | LAO-35V472MS3 ELNA DIP | LAO-35V472MS3.pdf | |
![]() | BA683F | BA683F NKG SMD or Through Hole | BA683F.pdf | |
![]() | AMC-2576-5.0DDF | AMC-2576-5.0DDF AMC TO-263 | AMC-2576-5.0DDF.pdf | |
![]() | SAF-XC16KJ-16F20F | SAF-XC16KJ-16F20F INFINEON SMD or Through Hole | SAF-XC16KJ-16F20F.pdf | |
![]() | RSM604 | RSM604 ROSUN SOP8 | RSM604.pdf | |
![]() | CD4508BM | CD4508BM TI SMD or Through Hole | CD4508BM.pdf | |
![]() | 7E25U-2R7N | 7E25U-2R7N SAGAMI 7E25U | 7E25U-2R7N.pdf | |
![]() | K9F5608U0D-FIB0/TI | K9F5608U0D-FIB0/TI SAM WSOP | K9F5608U0D-FIB0/TI.pdf |