창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ3.6D/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 1,500 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ3.6D/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ3.6, 3EZ3.6D/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | USB50815E3/TR7 | TVS DIODE 15VWM 32VC 8SOIC | USB50815E3/TR7.pdf | |
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![]() | RG2012V-1050-P-T1 | RES SMD 105 OHM 0.02% 1/8W 0805 | RG2012V-1050-P-T1.pdf | |
![]() | ADC84AZ-12 | ADC84AZ-12 FCI SMD or Through Hole | ADC84AZ-12.pdf | |
![]() | 74HC123D/ | 74HC123D/ PHI SOP | 74HC123D/.pdf | |
![]() | L2009C | L2009C ST TO-22O | L2009C.pdf | |
![]() | NL252018T-R68J R68-2520 | NL252018T-R68J R68-2520 TDK SMD or Through Hole | NL252018T-R68J R68-2520.pdf | |
![]() | DHSM204250473J | DHSM204250473J SHINYEI SMD or Through Hole | DHSM204250473J.pdf | |
![]() | N74S157N | N74S157N SIG SMD or Through Hole | N74S157N.pdf | |
![]() | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE) | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE) NEC SMD or Through Hole | DS90LV017ATM_NOPB (LEADFREE).pdf | |
![]() | RT8284 | RT8284 RICHTEK SOP-8 | RT8284.pdf | |
![]() | SIS650GX-A1 | SIS650GX-A1 SIS QFP BGA | SIS650GX-A1.pdf |