창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ27D2E3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 20.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ27D2E3/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ27D2, 3EZ27D2E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | B88069X3751B502 | GDT 230V 20% 5KA | B88069X3751B502.pdf | |
| AA-12.288MDGV-T | 12.288MHz ±30ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-12.288MDGV-T.pdf | ||
![]() | VLS252008ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard | VLS252008ET-4R7M.pdf | |
![]() | SD2C225M6L011PC346 | SD2C225M6L011PC346 SAMWHA SMD or Through Hole | SD2C225M6L011PC346.pdf | |
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![]() | RZ1V107M0811MPG280 | RZ1V107M0811MPG280 SAMWHA SMD or Through Hole | RZ1V107M0811MPG280.pdf | |
![]() | 165-1717-0 | 165-1717-0 BI SMD or Through Hole | 165-1717-0.pdf | |
![]() | MAX9016AEKA+T | MAX9016AEKA+T Maxim NA | MAX9016AEKA+T.pdf | |
![]() | PMBTA56/FD | PMBTA56/FD NXP SOT-23 | PMBTA56/FD.pdf | |
![]() | FD-1079-DP | FD-1079-DP TI CDIP-8 | FD-1079-DP.pdf | |
![]() | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C HYNIX BGA | HYD0SEE0M-F2P-5S60E-C.pdf | |
![]() | 24LC515-I/SN | 24LC515-I/SN MICROCHIP SOP | 24LC515-I/SN.pdf |