창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ200D2/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ200D2/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ200D, 3EZ200D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | PA0511.101NLT | 120nH Shielded Inductor 31A 0.39 mOhm Nonstandard | PA0511.101NLT.pdf | |
![]() | TNPW1206167RBEEA | RES SMD 167 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206167RBEEA.pdf | |
![]() | WW1JT11R0 | RES 11 OHM 1W 5% AXIAL | WW1JT11R0.pdf | |
![]() | MB87F6570PB-G | MB87F6570PB-G FUJITSU BGA | MB87F6570PB-G.pdf | |
![]() | NCB1210C600TR040F | NCB1210C600TR040F NIC SMD or Through Hole | NCB1210C600TR040F.pdf | |
![]() | SMAB16-RTK/P | SMAB16-RTK/P KEC SMA | SMAB16-RTK/P.pdf | |
![]() | L-7113QBC-D | L-7113QBC-D KingbrightEurope SMD or Through Hole | L-7113QBC-D.pdf | |
![]() | INA13UA | INA13UA BB SOP8 | INA13UA.pdf | |
![]() | MC68HC000 | MC68HC000 MOTOROLA PLCC | MC68HC000.pdf | |
![]() | RS-F12S2828B4 | RS-F12S2828B4 ORIGINAL SMD or Through Hole | RS-F12S2828B4.pdf | |
![]() | NL322522T220KS | NL322522T220KS CHILISIN SMD or Through Hole | NL322522T220KS.pdf | |
![]() | 69989-48/011 | 69989-48/011 EXAR SMD or Through Hole | 69989-48/011.pdf |