창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ200D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ200D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ200D, 3EZ200D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D3R0BXAAJ | 3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R0BXAAJ.pdf | |
![]() | VJ1812A330KBBAT4X | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A330KBBAT4X.pdf | |
![]() | RN73C2A5R23BTG | RES SMD 5.23 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A5R23BTG.pdf | |
![]() | NFM15PC475B0G3D | NFM15PC475B0G3D MURATA SMD or Through Hole | NFM15PC475B0G3D.pdf | |
![]() | HM67A9320CP-25 | HM67A9320CP-25 ORIGINAL PLCC-44 | HM67A9320CP-25.pdf | |
![]() | STK077 | STK077 CHINA SMD or Through Hole | STK077.pdf | |
![]() | 72V841L15PFG | 72V841L15PFG IDT SMD or Through Hole | 72V841L15PFG.pdf | |
![]() | 24256-WMW6T | 24256-WMW6T ST SOP | 24256-WMW6T.pdf | |
![]() | 984FB-6R8M P3 | 984FB-6R8M P3 TOKO SMD or Through Hole | 984FB-6R8M P3.pdf | |
![]() | NBL-B03B | NBL-B03B ORIGINAL SMD or Through Hole | NBL-B03B.pdf | |
![]() | TM68P05SDC | TM68P05SDC ORIGINAL DIP18 | TM68P05SDC.pdf |