창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ200D10/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 200V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 875옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 152V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ200D10/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ200D1, 3EZ200D10/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | RN73F2AT 4642F | RN73F2AT 4642F AUK NA | RN73F2AT 4642F.pdf | |
![]() | 150L10AM | 150L10AM IR D0-8 | 150L10AM.pdf | |
![]() | TC7WH04FUTE12LF | TC7WH04FUTE12LF Toshiba SMD or Through Hole | TC7WH04FUTE12LF.pdf | |
![]() | AS2731T-2.5 | AS2731T-2.5 ORIGINAL TO-263 | AS2731T-2.5.pdf | |
![]() | 40ST1021E(M) | 40ST1021E(M) BOTHHAND SOP40 | 40ST1021E(M).pdf | |
![]() | WD10C23 | WD10C23 WDC SMD or Through Hole | WD10C23.pdf | |
![]() | NC7S126M5X TEL:82766440 | NC7S126M5X TEL:82766440 FAIRCHILD SMD or Through Hole | NC7S126M5X TEL:82766440.pdf |