창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ19DE3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ19DE3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ19DE, 3EZ19DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GL180F23IET | 18MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL180F23IET.pdf | |
![]() | 425F11K028M6363 | 28.63636MHz ±10ppm 수정 8pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11K028M6363.pdf | |
![]() | BAS16WS-HE3-18 | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323 | BAS16WS-HE3-18.pdf | |
![]() | C7-1GHZ-T | C7-1GHZ-T ORIGINAL BGA | C7-1GHZ-T.pdf | |
![]() | 3096C--HFA3096C. | 3096C--HFA3096C. HAR SMD16P | 3096C--HFA3096C..pdf | |
![]() | D16861G | D16861G NEC SSOP | D16861G.pdf | |
![]() | TCSCS1J686MBAR | TCSCS1J686MBAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS1J686MBAR.pdf | |
![]() | L5F | L5F ON SOT | L5F.pdf | |
![]() | 9C12063A0R00JLRT | 9C12063A0R00JLRT PHILIPS SMD or Through Hole | 9C12063A0R00JLRT.pdf | |
![]() | OPA404BL | OPA404BL BB LCC | OPA404BL.pdf | |
![]() | 01L3398 | 01L3398 IBM BGA | 01L3398.pdf |