창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ19D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ19D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ19D10, 3EZ19D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ABL-16.000MHZ-B4Y-T | 16MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-16.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | PG0087.684NLT | 680µH Shielded Inductor 100mA 9.19 Ohm Max Nonstandard | PG0087.684NLT.pdf | |
![]() | 10065127-001LF | 10065127-001LF FCI/WSI SMD or Through Hole | 10065127-001LF.pdf | |
![]() | 218S2RBNA46 IXP200 | 218S2RBNA46 IXP200 ATI BGA | 218S2RBNA46 IXP200.pdf | |
![]() | OP249FZ(P/B) | OP249FZ(P/B) AD CDIP-8 | OP249FZ(P/B).pdf | |
![]() | AS1117-25CX | AS1117-25CX ASEMI SOT-223 | AS1117-25CX.pdf | |
![]() | 2SA1271 | 2SA1271 KEC TO-92 | 2SA1271.pdf | |
![]() | AD918 | AD918 AD TSSOP8 | AD918.pdf | |
![]() | GL41M-E3/75 | GL41M-E3/75 VISHAY LL41 | GL41M-E3/75.pdf | |
![]() | FZL151 | FZL151 SIEM DIP | FZL151.pdf | |
![]() | BRT21-H-X006 | BRT21-H-X006 VISHAY DIPSOP | BRT21-H-X006.pdf |