창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ19D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 19V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 7옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 14.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ19D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ19D10E, 3EZ19D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | F1857SDK1600 | MODULE SCR/DIODE 55A 600VAC | F1857SDK1600.pdf | |
![]() | ISC1812BN2R2J | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 390mA 460 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN2R2J.pdf | |
![]() | 1210R-823F | 82µH Unshielded Inductor 136mA 10 Ohm Max 2-SMD | 1210R-823F.pdf | |
![]() | EM78M611DBPJ-G | EM78M611DBPJ-G EMC SMD or Through Hole | EM78M611DBPJ-G.pdf | |
![]() | GAL22V10-10LPI | GAL22V10-10LPI LATTICE DIP-24 | GAL22V10-10LPI.pdf | |
![]() | LQW18AN15NG00D+00-03 | LQW18AN15NG00D+00-03 MURATA SMD or Through Hole | LQW18AN15NG00D+00-03.pdf | |
![]() | 90202 | 90202 ORIGINAL SOP | 90202.pdf | |
![]() | RNC50H14R3BS | RNC50H14R3BS ORIGINAL SMD or Through Hole | RNC50H14R3BS.pdf | |
![]() | S-818A20AUC | S-818A20AUC SEIKO SOT-89 | S-818A20AUC.pdf | |
![]() | GSC201-20M1900 | GSC201-20M1900 SOSHIN SMD | GSC201-20M1900.pdf | |
![]() | GM1203PHV1-8.GN | GM1203PHV1-8.GN SUNON GMSeries8500RPM3 | GM1203PHV1-8.GN.pdf | |
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