창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ190DE3/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 190V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 800옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 144.8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ190DE3/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ190D, 3EZ190DE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1825SA561KAT3A | 560pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825SA561KAT3A.pdf | |
| GBL04-E3/45 | DIODE GPP 1PH 3A 400V GBL | GBL04-E3/45.pdf | ||
| DD1217AS-H-2R2N=P3 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 8.7A 9.9 mOhm Max Nonstandard | DD1217AS-H-2R2N=P3.pdf | ||
![]() | CW201212-82NG | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 320 mOhm 0805 (2012 Metric) | CW201212-82NG.pdf | |
![]() | 108R-563GS | 56µH Unshielded Inductor 33mA 23 Ohm Max 2-SMD | 108R-563GS.pdf | |
![]() | LC4512V-35FT256-5I | LC4512V-35FT256-5I Lattice BGA | LC4512V-35FT256-5I.pdf | |
![]() | CN2B2TTE510J | CN2B2TTE510J KOA SMD or Through Hole | CN2B2TTE510J.pdf | |
![]() | 27.000MHZ FA-248(2.5*4) | 27.000MHZ FA-248(2.5*4) EPSON SMD or Through Hole | 27.000MHZ FA-248(2.5*4).pdf | |
![]() | TC7SU04FU / E6 | TC7SU04FU / E6 Toshiba SOT-253 | TC7SU04FU / E6.pdf | |
![]() | AT49BV3218-90TI | AT49BV3218-90TI ATMELCORP SMD or Through Hole | AT49BV3218-90TI.pdf | |
![]() | PM25RL1B120300G | PM25RL1B120300G Mitsubishi SMD or Through Hole | PM25RL1B120300G.pdf |