창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ18D2/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13.7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ18D2/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ18D, 3EZ18D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | VJ2220Y224KBCAT4X | 0.22µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y224KBCAT4X.pdf | |
|  | ECQ-E2275KFB | 2.7µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.370" W (26.00mm x 9.40mm) | ECQ-E2275KFB.pdf | |
|  | B82498F3181J1 | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 340mA 530 mOhm Max 2-SMD | B82498F3181J1.pdf | |
|  | CRCW0402158KFKED | RES SMD 158K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402158KFKED.pdf | |
|  | VSSR1601202JTF | RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP | VSSR1601202JTF.pdf | |
|  | CMF602K5600DER6 | RES 2.56K OHM 1W 0.5% AXIAL | CMF602K5600DER6.pdf | |
|  | 5102809Y29 | 5102809Y29 ORIGINAL LCC | 5102809Y29.pdf | |
|  | 3650 0402 20N 5% | 3650 0402 20N 5% chilisin SMD or Through Hole | 3650 0402 20N 5%.pdf | |
|  | 74HC4A | 74HC4A N SMD or Through Hole | 74HC4A.pdf | |
|  | PS2805-1-V-F3 | PS2805-1-V-F3 NEC SSOP-4 | PS2805-1-V-F3.pdf | |
|  | PHD36N03LT+118 | PHD36N03LT+118 NXP TO-252 | PHD36N03LT+118.pdf | |
|  | 2SB513P | 2SB513P TOSHIBA DIP | 2SB513P.pdf |