창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ17D10E3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 17V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 13V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ17D10E3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ17D10, 3EZ17D10E3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | P1171.222NLT | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 9.6A 5.7 mOhm Max Nonstandard | P1171.222NLT.pdf | |
ER74R16FT | RES 0.16 OHM 3W 1% AXIAL | ER74R16FT.pdf | ||
![]() | JAN1N4116-1 | JAN1N4116-1 MICROSEMI A | JAN1N4116-1.pdf | |
![]() | 231002 | 231002 infineon QFP | 231002.pdf | |
![]() | UA11JG SOT-353 T/R | UA11JG SOT-353 T/R UTC SOT353TR | UA11JG SOT-353 T/R.pdf | |
![]() | INA159AIDGKR(CJB) | INA159AIDGKR(CJB) MOT NULL | INA159AIDGKR(CJB).pdf | |
![]() | PDZ8.2B 8.2V | PDZ8.2B 8.2V NXP/PHILIPS SOD-323 0805 | PDZ8.2B 8.2V.pdf | |
![]() | DF14-4S-1.25C | DF14-4S-1.25C HRS SMD or Through Hole | DF14-4S-1.25C.pdf | |
![]() | 1825-0196(2CT6-0006) | 1825-0196(2CT6-0006) MARVELL BGA | 1825-0196(2CT6-0006).pdf | |
![]() | QMV359EY1 | QMV359EY1 ORIGINAL SMD or Through Hole | QMV359EY1.pdf | |
![]() | E4-104.190.1-3 | E4-104.190.1-3 FISCHER SMD or Through Hole | E4-104.190.1-3.pdf | |
![]() | RF6100-4 | RF6100-4 RFMD QFN | RF6100-4.pdf |