창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ160D2/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 160V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 625옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 121.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ160D2/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ160D, 3EZ160D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B57364S121M51 | ICL 120 OHM 20% 21MM | B57364S121M51.pdf | |
![]() | 416F37413ADR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37413ADR.pdf | |
![]() | QBLP613-Y | Yellow 590nm LED Indication - Discrete 2V 2-SMD, 1204 | QBLP613-Y.pdf | |
![]() | MNR12ERAPJ122 | RES ARRAY 2 RES 1.2K OHM 0606 | MNR12ERAPJ122.pdf | |
![]() | CMF55200R00BHBF | RES 200 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55200R00BHBF.pdf | |
![]() | AAT3221IGV-3.3V | AAT3221IGV-3.3V AAT SOT23-5 | AAT3221IGV-3.3V.pdf | |
![]() | AD4767558 | AD4767558 AD CDIP8 | AD4767558.pdf | |
![]() | M39016/15-033M | M39016/15-033M TELEDYNE SMD or Through Hole | M39016/15-033M.pdf | |
![]() | RN731JTTD1182B25 | RN731JTTD1182B25 KSE RES | RN731JTTD1182B25.pdf | |
![]() | 2.1K 1% | 2.1K 1% ORIGINAL SMD or Through Hole | 2.1K 1%.pdf | |
![]() | LTA120W1-T01 | LTA120W1-T01 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTA120W1-T01.pdf | |
![]() | H2AK024T-24V | H2AK024T-24V ORIGINAL SMD or Through Hole | H2AK024T-24V.pdf |