창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ150D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 550옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 114V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ150D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ150D10, 3EZ150D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VS-86HF60 | DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB | VS-86HF60.pdf | |
![]() | CRGV2010F9M09 | RES SMD 9.09M OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F9M09.pdf | |
![]() | PHP00805E1962BBT1 | RES SMD 19.6K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E1962BBT1.pdf | |
![]() | Y002490K0000S0L | RES 90K OHM .3W .001% RADIAL | Y002490K0000S0L.pdf | |
![]() | ESF398M025AN2AA | ESF398M025AN2AA ARCOTRNI DIP-2 | ESF398M025AN2AA.pdf | |
![]() | LT4250LS8 | LT4250LS8 LT SOP8 | LT4250LS8.pdf | |
![]() | TLC542I | TLC542I TI PLCC | TLC542I.pdf | |
![]() | BUW40/A | BUW40/A ST TO-220 | BUW40/A.pdf | |
![]() | MM1113 | MM1113 MIT SMD or Through Hole | MM1113.pdf | |
![]() | HKW0604-01-030 | HKW0604-01-030 Hosiden SMD or Through Hole | HKW0604-01-030.pdf | |
![]() | PS7901D-1A | PS7901D-1A NEC SOP4 | PS7901D-1A.pdf | |
![]() | QS29FCT2520ATP | QS29FCT2520ATP QualitySemiconductor SMD or Through Hole | QS29FCT2520ATP.pdf |