창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ140D5E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 475옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 106.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ140D5E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ140D5E, 3EZ140D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 445C35D30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35D30M00000.pdf | |
![]() | IRF2907ZPBF | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB | IRF2907ZPBF.pdf | |
![]() | CDEP85NP-6R1MC-125 | 6.1µH Shielded Wirewound Inductor 8.3A 9.8 mOhm Max Nonstandard | CDEP85NP-6R1MC-125.pdf | |
![]() | XC61CC1502MRN | XC61CC1502MRN TOREX SOT | XC61CC1502MRN.pdf | |
![]() | V23086-M2011-A403 | V23086-M2011-A403 TYCO SMD | V23086-M2011-A403.pdf | |
![]() | FQPF7N30 | FQPF7N30 FAIRCHILD TO-220F | FQPF7N30.pdf | |
![]() | 48025F | 48025F TOS TO-252 | 48025F.pdf | |
![]() | H8BCS0SI0MBR-46M-C | H8BCS0SI0MBR-46M-C Hynix SMD or Through Hole | H8BCS0SI0MBR-46M-C.pdf | |
![]() | MAX8559EBA11 | MAX8559EBA11 MAXIM SMD or Through Hole | MAX8559EBA11.pdf | |
![]() | MT74001 | MT74001 MYRRA SMD or Through Hole | MT74001.pdf | |
![]() | NB4N527S | NB4N527S ON QFN-16 | NB4N527S.pdf | |
![]() | MCP1320T-30FE/OT | MCP1320T-30FE/OT MIC SMD or Through Hole | MCP1320T-30FE/OT.pdf |