창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ140D10E3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 140V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 475옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 106.4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ140D10E3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ140D10, 3EZ140D10E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SRN6045TA-1R2Y | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 7.5A 10.5 mOhm | SRN6045TA-1R2Y.pdf | |
![]() | 3.3K/0805 | 3.3K/0805 N/A SMD or Through Hole | 3.3K/0805.pdf | |
![]() | DAC1021LCJ | DAC1021LCJ NS CDIP16 | DAC1021LCJ.pdf | |
![]() | MC68440FN-10 | MC68440FN-10 MOT PLCC68 | MC68440FN-10.pdf | |
![]() | AT45DB081DSU | AT45DB081DSU ATMEL SOP-8 | AT45DB081DSU.pdf | |
![]() | B12B-PHDSS-B(LF)(SN) | B12B-PHDSS-B(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | B12B-PHDSS-B(LF)(SN).pdf | |
![]() | TEA1093C2 | TEA1093C2 ph SMD or Through Hole | TEA1093C2.pdf | |
![]() | HFJ12-1G01E-L21RL | HFJ12-1G01E-L21RL HALO RJ45 | HFJ12-1G01E-L21RL.pdf | |
![]() | LN1134B252MR | LN1134B252MR LN SOT23-5 | LN1134B252MR.pdf | |
![]() | MPT-684J0850DB0000 | MPT-684J0850DB0000 ORIGINAL SMD or Through Hole | MPT-684J0850DB0000.pdf | |
![]() | FDB6670AL_QM | FDB6670AL_QM FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDB6670AL_QM.pdf | |
![]() | 54AC541DMQB(5962-8870601RA) | 54AC541DMQB(5962-8870601RA) NSC DIP | 54AC541DMQB(5962-8870601RA).pdf |