창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ12DE3/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ12DE3/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ12DE, 3EZ12DE3/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIR870ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | SIR870ADP-T1-GE3.pdf | |
![]() | 571-0122-100F | 571-0122-100F DIALIGHT ORIGINAL | 571-0122-100F.pdf | |
![]() | AME8822AEEV180Z SM | AME8822AEEV180Z SM ORIGINAL SMD or Through Hole | AME8822AEEV180Z SM.pdf | |
![]() | CL21C220JBANNN | CL21C220JBANNN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL21C220JBANNN.pdf | |
![]() | S-8054HNCB-D9-T1 | S-8054HNCB-D9-T1 SEIKO SOT-89 | S-8054HNCB-D9-T1.pdf | |
![]() | PX0410/08S/6065 | PX0410/08S/6065 BULGIN SMD or Through Hole | PX0410/08S/6065.pdf | |
![]() | CXD1185CQ | CXD1185CQ SONY QFP | CXD1185CQ.pdf | |
![]() | BGC020 | BGC020 TI SMA | BGC020.pdf | |
![]() | RN732ATTD3900B25 | RN732ATTD3900B25 KOA SMD or Through Hole | RN732ATTD3900B25.pdf | |
![]() | HD6432646C | HD6432646C RENESAS QFP144 | HD6432646C.pdf | |
![]() | HAL556UA-E | HAL556UA-E MICRONAS TO-92S | HAL556UA-E.pdf | |
![]() | 8985349 | 8985349 MURR SMD or Through Hole | 8985349.pdf |