창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ12D2/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ12D2/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ12D, 3EZ12D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SIT3808AI-DF-33NG-80.000000T | OSC XO 3.3V 80MHZ NC | SIT3808AI-DF-33NG-80.000000T.pdf | |
![]() | HAT2261H-EL-E | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK | HAT2261H-EL-E.pdf | |
![]() | S0603-151NJ2S | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 980 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-151NJ2S.pdf | |
![]() | DAP007DG | DAP007DG ON SOP-8 | DAP007DG.pdf | |
![]() | LUDZS2.0BT1G | LUDZS2.0BT1G LRC SOD-323 | LUDZS2.0BT1G.pdf | |
![]() | MP740 | MP740 GINST SMD or Through Hole | MP740.pdf | |
![]() | C244R4160ZA01J / FARBE: ROT | C244R4160ZA01J / FARBE: ROT KEMET Call | C244R4160ZA01J / FARBE: ROT.pdf | |
![]() | MNR14E0AJ000 | MNR14E0AJ000 ROHM SMD or Through Hole | MNR14E0AJ000.pdf | |
![]() | 7MBR75SB-060-50 | 7MBR75SB-060-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR75SB-060-50.pdf | |
![]() | 10VXP10000M22X30 | 10VXP10000M22X30 Rubycon DIP-2 | 10VXP10000M22X30.pdf | |
![]() | S10C5030FNR | S10C5030FNR TIS PLCC | S10C5030FNR.pdf | |
![]() | IDT75P42100S83RXI | IDT75P42100S83RXI IDT SMD or Through Hole | IDT75P42100S83RXI.pdf |