창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ12D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 4.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 9.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ12D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ12D1, 3EZ12D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
CRCW12062R00FNTA | RES SMD 2 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062R00FNTA.pdf | ||
5091002P01 | 5091002P01 NEC SMD or Through Hole | 5091002P01.pdf | ||
CDC7005ZGVAT | CDC7005ZGVAT TI BGA | CDC7005ZGVAT.pdf | ||
AM26LS30AMWB | AM26LS30AMWB TI CFP | AM26LS30AMWB.pdf | ||
2010-8.2R | 2010-8.2R ORIGINAL SMD or Through Hole | 2010-8.2R.pdf | ||
AM25LS2517DMD | AM25LS2517DMD MAX DIP | AM25LS2517DMD.pdf | ||
D303X | D303X ORIGINAL TO220 | D303X.pdf | ||
MC68H908GP32CFB | MC68H908GP32CFB ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68H908GP32CFB.pdf | ||
LSC4570P2 | LSC4570P2 MOT DIP | LSC4570P2.pdf | ||
NX3L2G66GT | NX3L2G66GT NXP SMD or Through Hole | NX3L2G66GT.pdf | ||
TN4-25993 | TN4-25993 ORIGINAL SMD or Through Hole | TN4-25993.pdf |