창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ120DE3/TR12 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ120DE3/TR12 | |
관련 링크 | 3EZ120DE, 3EZ120DE3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | SM6T10AHE3/52 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMB | SM6T10AHE3/52.pdf | |
![]() | S0603-82NG3 | 82nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 570 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-82NG3.pdf | |
![]() | 6134329-7 | 6134329-7 NS SOP16 | 6134329-7.pdf | |
![]() | TC831CKW | TC831CKW TELCOM QFP | TC831CKW.pdf | |
![]() | SAFEF836MAL0F00R12 | SAFEF836MAL0F00R12 MuRata 2520 | SAFEF836MAL0F00R12.pdf | |
![]() | KM48C2100BS-G | KM48C2100BS-G Samsung Bag | KM48C2100BS-G.pdf | |
![]() | 130.4038SMD | 130.4038SMD ORIGINAL SOP-28 | 130.4038SMD.pdf | |
![]() | 24NQ03 | 24NQ03 NXF TO-252 | 24NQ03.pdf | |
![]() | LM336M-2.5 | LM336M-2.5 NS SOP8 | LM336M-2.5 .pdf | |
![]() | US22W102MSBL78 | US22W102MSBL78 ORIGINAL SMD or Through Hole | US22W102MSBL78.pdf | |
![]() | 7311NA-391K | 7311NA-391K SAGAMI DIP | 7311NA-391K.pdf | |
![]() | SST55LD017B | SST55LD017B SST QFP | SST55LD017B.pdf |