창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ120D5E3/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ120D5E3/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ120D5E, 3EZ120D5E3/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27013ADR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27013ADR.pdf | |
![]() | MTD3055V | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | MTD3055V.pdf | |
![]() | SP1008-392H | 3.9µH Shielded Wirewound Inductor 392mA 739 mOhm Max Nonstandard | SP1008-392H.pdf | |
![]() | SS8550 Y2. | SS8550 Y2. GC SOT-23 | SS8550 Y2..pdf | |
![]() | KH-103-4C | KH-103-4C KOINO SMD or Through Hole | KH-103-4C.pdf | |
![]() | IM4A3-256/192 | IM4A3-256/192 LATTICE BGA | IM4A3-256/192.pdf | |
![]() | PI7AT04CX/T3C | PI7AT04CX/T3C Pericom SMD or Through Hole | PI7AT04CX/T3C.pdf | |
![]() | ST72F262G1M6 | ST72F262G1M6 ST SOP28 | ST72F262G1M6.pdf | |
![]() | 2SK1493 | 2SK1493 TO- SMD or Through Hole | 2SK1493.pdf | |
![]() | 74LV123DB,118 | 74LV123DB,118 NXP SOT338 | 74LV123DB,118.pdf | |
![]() | GXLV-200P 2.2V 85C 30046-23 | GXLV-200P 2.2V 85C 30046-23 NSGEODE PGA | GXLV-200P 2.2V 85C 30046-23.pdf | |
![]() | 2SC2768(A) | 2SC2768(A) FJD TO-220 | 2SC2768(A).pdf |