창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ120D2/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 120V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 91.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ120D2/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ120D, 3EZ120D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| NRS6028T2R2NMGJV | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 26 mOhm Max Nonstandard | NRS6028T2R2NMGJV.pdf | ||
![]() | AT1206CRD07620RL | RES SMD 620 OHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD07620RL.pdf | |
![]() | JV2N3486A | JV2N3486A MOT CAN3 | JV2N3486A.pdf | |
![]() | PZH7M440 | PZH7M440 NIEC SMD or Through Hole | PZH7M440.pdf | |
![]() | STEL2050A/CM | STEL2050A/CM STEL PLCC28 | STEL2050A/CM.pdf | |
![]() | K4J10324KE-HC14T | K4J10324KE-HC14T SAMSUNG SMD or Through Hole | K4J10324KE-HC14T.pdf | |
![]() | 5203ISZ | 5203ISZ EL SOP-8 | 5203ISZ.pdf | |
![]() | NG82005MCH/QL39ES | NG82005MCH/QL39ES INTEL BGA | NG82005MCH/QL39ES.pdf | |
![]() | 4099BDC | 4099BDC F CDIP16 | 4099BDC.pdf | |
![]() | C549B | C549B QG TO-92 | C549B.pdf | |
![]() | GA= | GA= RICHTEK SMD or Through Hole | GA=.pdf | |
![]() | BLV910 | BLV910 ORIGINAL H | BLV910.pdf |