창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ11D/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 4옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ11D/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ11D, 3EZ11D/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | D100G20C0GL6TJ5R | 10pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D100G20C0GL6TJ5R.pdf | |
|  | SA120AHE3/54 | TVS DIODE 120VWM 193VC DO204AC | SA120AHE3/54.pdf | |
|  | FR6D02 | DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 | FR6D02.pdf | |
|  | HK160882NJ-T | 82nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 950 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | HK160882NJ-T.pdf | |
|  | KSM-1003LM2T | KSM-1003LM2T ORIGINAL DIP | KSM-1003LM2T.pdf | |
|  | 74LS32-3.9M | 74LS32-3.9M MOT SMD or Through Hole | 74LS32-3.9M.pdf | |
|  | LM50BIM3-BRKN-LF | LM50BIM3-BRKN-LF NS SMD or Through Hole | LM50BIM3-BRKN-LF.pdf | |
|  | IV0512SA | IV0512SA XP SIP7 | IV0512SA.pdf | |
|  | 5.06880MHZCRYSTAL | 5.06880MHZCRYSTAL ECS SMD or Through Hole | 5.06880MHZCRYSTAL.pdf | |
|  | 8L30 | 8L30 NAIS SMD or Through Hole | 8L30 .pdf | |
|  | PFC-W0805R-03-1503-B | PFC-W0805R-03-1503-B INTERNATIONALRESISTIVECO ORIGINAL | PFC-W0805R-03-1503-B.pdf | |
|  | LM136AH25883 | LM136AH25883 NS SMD or Through Hole | LM136AH25883.pdf |