창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ100D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 100V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 160옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 76V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ100D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ100D, 3EZ100D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW060333R0BEEA | RES SMD 33 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060333R0BEEA.pdf | |
![]() | H301 | H301 ORIGINAL SMD or Through Hole | H301.pdf | |
![]() | LH28F800BVE-TT | LH28F800BVE-TT SHARP 50PCSTR | LH28F800BVE-TT.pdf | |
![]() | Z0107NN135 | Z0107NN135 NXP n a | Z0107NN135.pdf | |
![]() | DF11-16DS-2DSA(05) | DF11-16DS-2DSA(05) HIROSE SMD or Through Hole | DF11-16DS-2DSA(05).pdf | |
![]() | G20N120BN | G20N120BN ORIGINAL SMD or Through Hole | G20N120BN.pdf | |
![]() | MBM29DL164BD-70PFTN | MBM29DL164BD-70PFTN FUJITSU TSOP48 | MBM29DL164BD-70PFTN.pdf | |
![]() | EP2F-B3G3 | EP2F-B3G3 NEC SMD or Through Hole | EP2F-B3G3.pdf | |
![]() | 980X107-BCW1 | 980X107-BCW1 ORIGINAL BGA | 980X107-BCW1.pdf | |
![]() | 85826-311lf | 85826-311lf fci-elx SMD or Through Hole | 85826-311lf.pdf | |
![]() | MG87C196KD20 | MG87C196KD20 INTEL CPGA68 | MG87C196KD20.pdf | |
![]() | STGP12N60H | STGP12N60H ST TO-220 | STGP12N60H.pdf |