창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-375NB3I2000T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 375 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 375 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
유형 | VCXO | |
주파수 | 200MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVDS | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 55mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.055"(1.40mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 375NB3I2000T | |
관련 링크 | 375NB3I, 375NB3I2000T 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 |
NOSC107M002R0150 | 100µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 150 mOhm ESR | NOSC107M002R0150.pdf | ||
IPB180N04S302ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | IPB180N04S302ATMA1.pdf | ||
RNF12FAD35R7 | RES 35.7 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FAD35R7.pdf | ||
CHL8214-01 | CHL8214-01 CHIL QFN | CHL8214-01.pdf | ||
54184DMQB | 54184DMQB NS DIP | 54184DMQB.pdf | ||
BDT87 | BDT87 PHILIPS TO-220 | BDT87.pdf | ||
MDT2010EP-M15 | MDT2010EP-M15 MDT DIP | MDT2010EP-M15.pdf | ||
27V2C | 27V2C TI SOP8 | 27V2C.pdf | ||
MSP4440K-QA-B3-500T | MSP4440K-QA-B3-500T MICRONAS QFP80 | MSP4440K-QA-B3-500T.pdf | ||
LT3495BEDDB-D#PBF | LT3495BEDDB-D#PBF LT SMD or Through Hole | LT3495BEDDB-D#PBF.pdf | ||
SMC30519 | SMC30519 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMC30519.pdf | ||
EVN5ESX50B14 3X3 10K | EVN5ESX50B14 3X3 10K PAN SMD or Through Hole | EVN5ESX50B14 3X3 10K.pdf |