창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-3610INMB58 30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 3610INMB58 30 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFP 32 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 3610INMB58 30 | |
관련 링크 | 3610INM, 3610INMB58 30 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MLZ2012M6R8WT000 | 6.8µH Shielded Multilayer Inductor 350mA 520 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M6R8WT000.pdf | |
![]() | RWM06224701JA15E1 | RES WIREWOUND 4.7K OHM 7W | RWM06224701JA15E1.pdf | |
![]() | 1AB0798AA | 1AB0798AA ALCATEL PLCC | 1AB0798AA.pdf | |
![]() | S-1111B30PN-NYP-TF/NYP | S-1111B30PN-NYP-TF/NYP SEIKO SOT-353 | S-1111B30PN-NYP-TF/NYP.pdf | |
![]() | 1N5400TR | 1N5400TR TAIWANSEMICONDUCTORMANF ORIGINAL | 1N5400TR.pdf | |
![]() | J2S-Q01-A-A-W | J2S-Q01-A-A-W MITSUBISHI SMD or Through Hole | J2S-Q01-A-A-W.pdf | |
![]() | UN8HX | UN8HX ME SOT23-5 | UN8HX.pdf | |
![]() | SP0305-1R2J-PF | SP0305-1R2J-PF TDK DIP | SP0305-1R2J-PF.pdf | |
![]() | MD200A1600V | MD200A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MD200A1600V.pdf | |
![]() | 12MT80KB | 12MT80KB IR SMD or Through Hole | 12MT80KB.pdf | |
![]() | HYB18T512161AF-25 | HYB18T512161AF-25 SANSUNG BGA | HYB18T512161AF-25.pdf | |
![]() | QAV | QAV ORIGINAL TDFN33-12 | QAV.pdf |