창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-35VXG3900M25X25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 35VXG3900M25X25 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 35VXG3900M25X25 | |
| 관련 링크 | 35VXG3900, 35VXG3900M25X25 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1840433635 | 0.33µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP1840433635.pdf | |
![]() | SMBJ14CE3/TR13 | TVS DIODE 14VWM 25.8VC SMBJ | SMBJ14CE3/TR13.pdf | |
![]() | 416F300X2ISR | 30MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F300X2ISR.pdf | |
![]() | ISC1812RV821K | 820µH Shielded Wirewound Inductor 72mA 13.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RV821K.pdf | |
![]() | MCW0406MD6490BP100 | RES SMD 649 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD6490BP100.pdf | |
![]() | NCV3842BVD1R2G | NCV3842BVD1R2G ON SOP | NCV3842BVD1R2G.pdf | |
![]() | HP32E821MRY | HP32E821MRY HITACHI DIP | HP32E821MRY.pdf | |
![]() | GF-9300-I-B3 | GF-9300-I-B3 NVIDIA BGA | GF-9300-I-B3.pdf | |
![]() | ST6110 | ST6110 VALOR SOP6 | ST6110.pdf | |
![]() | 4177P | 4177P ORIGINAL SOIC8 | 4177P.pdf |