창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-35ME1000AX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 35ME1000AX | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 35ME1000AX | |
관련 링크 | 35ME10, 35ME1000AX 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CC0402CRNPO9BN5R0 | 5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402CRNPO9BN5R0.pdf | |
![]() | 425F39B020M0000 | 20MHz ±30ppm 수정 13pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F39B020M0000.pdf | |
![]() | MLF2012A3R3MTD25 | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A3R3MTD25.pdf | |
![]() | RAVF102DJT56R0 | RES ARRAY 2 RES 56 OHM 0404 | RAVF102DJT56R0.pdf | |
![]() | ID2118-4 | ID2118-4 INTEL DIP | ID2118-4.pdf | |
![]() | K4N511G3QC-ZC25 | K4N511G3QC-ZC25 SAMSUNG BGA | K4N511G3QC-ZC25.pdf | |
![]() | 75PL191JCEBFWOO | 75PL191JCEBFWOO SPANSION BGA | 75PL191JCEBFWOO.pdf | |
![]() | 89124-0103 | 89124-0103 M/WSI SMD or Through Hole | 89124-0103.pdf | |
![]() | TC74LVX4245FT | TC74LVX4245FT TOSHIBA TSSOP | TC74LVX4245FT.pdf | |
![]() | SCDS104R-101M-S | SCDS104R-101M-S ORIGINAL SMD or Through Hole | SCDS104R-101M-S.pdf | |
![]() | HA1E-DC12 | HA1E-DC12 NAIS SMD or Through Hole | HA1E-DC12.pdf | |
![]() | MT093BE | MT093BE MITEL DIP | MT093BE.pdf |