창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-337AVG016MFF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AVG Series Datasheet | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 - 고분자 커패시터 | |
| 제조업체 | Illinois Capacitor | |
| 계열 | AVG | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 330µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 16V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 602.86m옴 | |
| 수명 @ 온도 | 1500시간(125°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 4.3A | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.138"(3.50mm) | |
| 크기/치수 | 0.315" Dia(8.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.374"(9.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 337AVG016MFF | |
| 관련 링크 | 337AVG0, 337AVG016MFF 데이터 시트, Illinois Capacitor 에이전트 유통 | |
![]() | 445C33A27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33A27M00000.pdf | |
![]() | ASTMUPCV-33-24.000MHZ-LY-E-T | 24MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-24.000MHZ-LY-E-T.pdf | |
![]() | 2510-34K | 2.7µH Unshielded Inductor 229mA 900 mOhm Max Nonstandard | 2510-34K.pdf | |
![]() | 1887102-6 | XT314L12 | 1887102-6.pdf | |
![]() | G3MC-202P-VD 12VDC | G3MC-202P-VD 12VDC OMRON RELAY | G3MC-202P-VD 12VDC.pdf | |
![]() | 69167-308 | 69167-308 Hirose SOIC | 69167-308.pdf | |
![]() | GL-E26/E27-RGB-3W-Q | GL-E26/E27-RGB-3W-Q ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-E26/E27-RGB-3W-Q.pdf | |
![]() | AM27521ADC | AM27521ADC AMD DIP | AM27521ADC.pdf | |
![]() | TDA4470M | TDA4470M NXP SMD or Through Hole | TDA4470M.pdf | |
![]() | 1N41501JAN | 1N41501JAN MSC SMD or Through Hole | 1N41501JAN.pdf | |
![]() | XR10/12S05(10W) | XR10/12S05(10W) N/A DIP | XR10/12S05(10W).pdf | |
![]() | 6035 28.636MHZ | 6035 28.636MHZ KDS SMD or Through Hole | 6035 28.636MHZ.pdf |