창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-336AVG100MGBJ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AVG Series Datasheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 - 고분자 커패시터 | |
제조업체 | Illinois Capacitor | |
계열 | AVG | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 100V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 6.0286옴 | |
수명 @ 온도 | 2000시간(125°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.1A | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.197"(5.00mm) | |
크기/치수 | 0.394" Dia(10.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.532"(13.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 336AVG100MGBJ | |
관련 링크 | 336AVG1, 336AVG100MGBJ 데이터 시트, Illinois Capacitor 에이전트 유통 |
![]() | HBE681MBBSQSKR | 680pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HBE681MBBSQSKR.pdf | |
![]() | VS-GT50TP60N | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK | VS-GT50TP60N.pdf | |
![]() | R251001.NRT1(1A) | R251001.NRT1(1A) LITTELFUSE DIP | R251001.NRT1(1A).pdf | |
![]() | LTS-2801AP | LTS-2801AP LT DIP | LTS-2801AP.pdf | |
![]() | SMDT-130I-14 | SMDT-130I-14 SEMPO MODULE | SMDT-130I-14.pdf | |
![]() | T133G-883B | T133G-883B SIS DIP | T133G-883B.pdf | |
![]() | SN74AHC1G08HDCKR-P | SN74AHC1G08HDCKR-P TI SOT23-5 | SN74AHC1G08HDCKR-P.pdf | |
![]() | MAX5361NEUK-T | MAX5361NEUK-T MAX SMD or Through Hole | MAX5361NEUK-T.pdf | |
![]() | 2SB937 | 2SB937 ORIGINAL TO-252 | 2SB937.pdf | |
![]() | PD-20-A | PD-20-A HSE AC-DC | PD-20-A.pdf | |
![]() | MSD7818L-L2 | MSD7818L-L2 MSTAR QFP | MSD7818L-L2.pdf | |
![]() | MRF338 | MRF338 Motorola 333-04 | MRF338.pdf |