홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » 2V7002LT1G

ON Semiconductor 2V7002LT1G

2V7002LT1G
제조업체 부품 번호
2V7002LT1G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
2V7002LT1G 가격 및 조달

가능 수량

20550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 28.42931
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2V7002LT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2V7002LT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2V7002LT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2V7002LT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2V7002LT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2V7002LT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2x7002L
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C115mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.5옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 25V
전력 - 최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
다른 이름2V7002LT1G-ND
2V7002LT1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2V7002LT1G
관련 링크2V7002, 2V7002LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2V7002LT1G 의 관련 제품
1000pF Film Capacitor 100V Polyester Radial 0.283" L x 0.118" W (7.20mm x 3.00mm) ECQ-B1102JF.pdf
RES SMD 174 OHM 0.1% 1/4W 1206 TNPU1206174RBZEN00.pdf
SN-J12 UBON SMD or Through Hole SN-J12.pdf
74LS238N HIT/TI DIP 74LS238N.pdf
IR4401 IOR SOP-8 IR4401.pdf
MC33151VD ON SOP-8 MC33151VD.pdf
PIC18C858-E/PT MICROCHIP SMD or Through Hole PIC18C858-E/PT.pdf
LM158JB NS DIP LM158JB.pdf
MM3Z11VST1G ONS SMD or Through Hole MM3Z11VST1G.pdf
BYD167ZH ZOWIE SMD or Through Hole BYD167ZH.pdf
MAX5980GTJ+ MAXIM SMD or Through Hole MAX5980GTJ+.pdf